Установка CVD
Цилиндрическая резонаторная система МПКВД для микроволнового плазменного химического осаждения из газовой фазы и выращивания алмазов в лабораторных условиях
Артикул: TU-CVD06
Доставка: Свяжитесь с нами чтобы получить подробности о доставке. Наслаждайтесь Гарантия своевременной отправки.
Обзор продукта


Эта высокопроизводительная система микроволнового плазменного химического осаждения из газовой фазы (МПКВД) является ведущим решением для синтеза высококачественных алмазных пленок и монокристаллических алмазов. За счет использования усовершенствованной вакуумной камеры и высокомощного микроволнового генератора оборудование обеспечивает разложение исходных газов в реактивное плазменное состояние. Этот процесс позволяет точно осаждать атомы углерода на подложки, давая возможность выращивать материалы с исключительной твердостью, теплопроводностью и оптической прозрачностью. Система спроектирована для создания стабильной безэлектродной среды, что необходимо для поддержания экстремально высокого уровня чистоты, требуемого в современной материаловедении.
В основном предназначенный для полупроводниковой промышленности, оптики и ювелирной отрасли, этот реактор разработан для удовлетворения строгих требований как промышленного производства, так и высокоуровневых научно-исследовательских работ. Независимо от того, стоит ли задача получения крупногабаритных алмазных подложек для силовой электроники или высокопрозрачных необработанных алмазов для ювелирного рынка, оборудование обеспечивает стабильно повторяемые результаты. Его возможность выращивать как монокристаллические, так и поликристаллические структуры делает его универсальным активом для лабораторий, работающих над созданием перспективных решений теплового управления и производством высокоточного режущего инструмента.
Созданная для долговременной эффективной работы, эта система имеет подтвержденный опыт стабильной работы более 40 000 часов в сложных промышленных условиях. Прочная конструкция из нержавеющей стали 304 в сочетании с усовершенствованной архитектурой водяного охлаждения обеспечивает тепловую стабильность даже во время высокомощного микроволнового разряда. Надежность лежит в основе его конструкции, предоставляя исследователям и производителям воспроизводимость, необходимую для масштабирования сложных процессов осаждения без компромиссов по качеству кристаллов или структурной целостности.
Ключевые особенности
- Регулируемый высокомощный микроволновый генератор: Система оснащена непрерывно регулируемым микроволновым выходом мощностью 1–10 кВт на частоте 2450 МГц, обеспечивая плотность энергии, необходимую для быстрого выращивания алмазов, при этом поддерживая стабильность менее ±1%.
- Продвинутая цилиндрическая резонансная камера: Используя моды TM021 или TM023, конструкция цилиндрического резонатора оптимизирует распределение микроволнового поля, формируя стабильную парящую плазменную сферу, которая не контактирует со стенками камеры, что предотвращает загрязнение.
- Возможность выращивания на большой площади: Установка поддерживает площадь выращивания на подложке диаметром 3 дюйма, позволяя максимальную загрузку партии до 45 отдельных алмазов, что значительно увеличивает производительность для коммерческих предприятий.
- Безэлектродное генерация плазмы: В отличие от других методов осаждения, этот подход на основе микроволн исключает наличие горячих проводов и электродов, гарантируя отсутствие металлических примесей и продуктов деградации нитей в среде выращивания.
- Точная подача и контроль газов: Оснащенная 5-канальной системой регуляторов массового расхода (MFC) для H2, CH4, O2, N2 и Ar, оборудование позволяет точно стехиометрически контролировать реакционные газы для тонкой настройки свойств кристаллов.
- Интегрированная автоматизация на ПЛК Siemens: ПЛК Siemens Smart 200 и интуитивно понятный сенсорный интерфейс обеспечивают комплексный контроль температуры выращивания, циклов давления и автоматических последовательностей набора/сброса мощности.
- Высокая герметичность вакуумной системы: Реакционная камера достигает скорости утечки вакуума менее 5 × 10⁻⁹ Па·м³/с, за счет сочетания металлических С-образных колец и резиновых уплотнений поддерживая идеальные условия, необходимые для высокочистого синтеза.
- Комплексное тепловое управление: Многоконтурная система водяного охлаждения контролирует температуру и расход в реальном времени, эффективно отводя избыточное тепло для защиты кварцевых окон и уплотнений камеры во время длительной работы при мощности 10 кВт.
- Мониторинг процесса в реальном времени: Оснащенная внешним инфракрасным термометром с диапазоном измерения 300–1400 °C и восемью специальными смотровыми окнами, система позволяет точно контролировать температуру подложки и стабильность плазмы.
Области применения
| Применение | Описание | Ключевое преимущество |
|---|---|---|
| Синтез драгоценных камней | Производство высокопрозрачных крупных монокристаллических необработанных алмазов для ювелирной промышленности. | Лучшая чистота и контроль цвета по сравнению с методом ВТДП. |
| Полупроводниковые подложки | Выращивание алмазных пластин большой площади, используемых в качестве теплоотводов или активных слоев в силовой электронике. | Экстремальная теплопроводность и высокое напряжение электрического пробоя. |
| Оптические окна | Изготовление алмазных пластин для окон высокомощных лазеров и оборудования инфракрасной спектроскопии. | Широкая спектральная прозрачность и исключительная механическая прочность. |
| Режущие и буровые инструменты | Осаждение поликристаллических алмазных (ПКА) слоев на промышленные режущие, шлифовальные и буровые компоненты. | Максимальная твердость и износостойкость для сложных задач обработки материалов. |
| Квантовые исследования | Разработка алмазных подложек с определенными азотно-вакансионными (NV) центрами для квантовых вычислений и сенсорики. | Точный контроль легирования и чрезвычайно низкий уровень фоновых примесей. |
| Тепловое управление | Создание алмазных радиаторов для высокоплотных светодиодных матриц и аэрокосмических коммуникационных модулей. | Оптимизированное отведение тепла для увеличения срока службы и производительности компонентов. |
Технические характеристики
| Категория | Параметр | Характеристика (Артикул: TU-CVD06) |
|---|---|---|
| Микроволновая система | Частота | 2450 ± 15 МГц |
| Выходная мощность | 1 – 10 кВт (непрерывно регулируемая) | |
| Стабильность мощности | < ±1% | |
| Утечка микроволн | ≤ 2 мВт/см² | |
| Интерфейс волновода | WR340, 430 со стандартным фланцем FD-340, 430 | |
| Коэффициент бегущей волны | КБВ ≤ 1,5 | |
| Источник питания | 380В переменного тока / 50Гц ± 10%, трехфазное | |
| Реакционная камера | Скорость утечки вакуума | < 5 × 10⁻⁹ Па·м³/с |
| Предельное давление | < 0,7 Па (с вакуумметром Пирани) | |
| Поддержание давления | Подъем ≤ 50 Па через 12 часов | |
| Рабочие моды | TM021 или TM023 | |
| Материал и конструкция | Нержавеющая сталь 304 с водоохлаждаемой межслойной камерой | |
| Метод уплотнения | Высокочистая кварцевая пластина; металлическое С-образное кольцо и уплотнения CF/KF | |
| Режим подачи газа | Равномерное кольцевое поступление газа сверху | |
| Смотровые окна | 8 окон для контроля температуры и визуального мониторинга | |
| Управление образцами | Диаметр столика | ≥ 72 мм (Эффективная площадь ≥ 66 мм) |
| Конструкция столика | Водоохлаждаемая сэндвич-структура | |
| Позиционирование | Электрический подъем и опускание для точного позиционирования плазмы | |
| Система газопотока | Газовые каналы | 5 каналов (H2, CH4, O2, N2, Ar) |
| Расход через MFC | H2: 1000 куб.см/мин; CH4: 100 куб.см/мин; O2/N2: 2 куб.см/мин; Ar: 10 куб.см/мин | |
| Типы соединений | Все металлическая сварка или соединения VCR | |
| Рабочее давление | 0,05 – 0,3 МПа (Точность ±2%) | |
| Охлаждение и безопасность | Расход воды | ≤ 50 л/мин (общая система); 6-12 л/мин (микроволновый блок) |
| Мониторинг | Датчики температуры и расхода в реальном времени с системой блокировки | |
| Безопасностный контроль | Функциональная блокировка по воде, питанию и давлению | |
| Система управления | Архитектура | ПЛК Siemens Smart 200 с сенсорным экраном |
| Функции | Автоматическая балансировка температуры выращивания, контроль давления, автоматическое изменение мощности | |
| Диапазон температур | 300 – 1400 °C (внешний инфракрасный термометр) |
Почему стоит выбрать этот продукт
- Непревзойденная стабильность: С подтвержденным опытом работы более 40 000 часов эта система обеспечивает промышленную надежность, необходимую для непрерывных циклов выращивания алмазов.
- Продвинутая плазменная инженерия: Конструкция цилиндрической резонансной камеры гарантирует, что плазма остается по центру и во взвешенном состоянии, исключая контакт со стенками и обеспечивая высочайшую чистоту осаждаемого материала.
- Масштабируемое производство: Большая площадь выращивания 3 дюйма и высокомощная 10-киловаттная микроволновая система позволяют высокопроизводительную пакетную обработку, значительно снижая стоимость за карат для производителей ювелирных и промышленных алмазов.
- Комплексная поддержка: Мы предоставляем программу технической поддержки «Нулевой опыт», предлагая современные рецепты выращивания алмазов и обучение от экспертов, чтобы гарантировать, что ваша команда достигнет немедленных результатов.
- Точная кастомизация: Наша инженерная команда специализируется на адаптации как аппаратных, так и программных конфигураций под конкретные исследовательские задачи — от добавления уникальных газовых каналов до изготовления индивидуальных держателей подложек.
Для получения технической консультации или индивидуального предложения для вашего проекта по выращиванию алмазов в лабораторных условиях свяжитесь с нашей командой специалистов сегодня.
ЗАПРОС ЦИТАТЫ
Наша профессиональная команда ответит вам в течение одного рабочего дня. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам!
Связанные товары
Установка для химического осаждения из паровой фазы с микроволновой плазмой 915 МГц MPCVD, реактор
Высокопроизводительная система химического осаждения из паровой фазы с микроволновой плазмой 915 МГц для быстрого синтеза высокочистых монокристаллических алмазов. Характеризуется регулируемой мощностью 3-75 кВт, прецизионным вакуумным контролем и масштабируемыми реакционными камерами для промышленного производства драгоценных камней и полупроводниковых материалов.
Система HFCVD для нанесения наноалмазных покрытий на волочильные фильеры и промышленные инструменты
Максимизируйте срок службы инструмента с помощью нашего высокопроизводительного оборудования HFCVD, разработанного для прецизионного нанесения наноалмазных покрытий на волочильные фильеры. Достигните превосходной износостойкости, снижения трения и исключительной чистоты поверхности для требовательных промышленных процессов в области материаловедения и НИОКР.
Наклонная роторная система плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) для осаждения тонких пленок и синтеза наноматериалов
Эта современная наклонная роторная система PECVD обеспечивает высококачественное осаждение тонких пленок при низких температурах для полупроводников и МЭМС. Благодаря точному контролю подачи газа и высоким вакуумным характеристикам она гарантирует превосходную равномерность пленки и адгезию для сложных промышленных научно-исследовательских задач.
Система трубчатой печи CVD с несколькими нагревательными зонами для точного химического осаждения из паровой фазы и синтеза передовых материалов
Оптимизируйте исследования материалов с помощью этой системы трубчатой печи CVD с несколькими нагревательными зонами. Обладая независимым ПИД-регулированием и точными контроллерами массового расхода, она обеспечивает равномерное нанесение тонких пленок и работу в условиях высокого вакуума для передовых приложений в области НИОКР полупроводников и нанотехнологий, а также промышленной переработки.
Трубчатая печь CVD со раздельной камерой и вакуумной станцией, система химического парофазного осаждения
Продвинутая трубчатая печь CVD со раздельной камерой, оснащенная интегрированной вакуумной станцией и 4-канальным газовым контроллером MFC. Разработанная для точного нанесения тонких пленок, синтеза наноматериалов и полупроводниковых НИОКР, эта установка обеспечивает высокотемпературную точность и исключительную равномерность осаждения.
Максимально компактная печь PECVD с авто-скольжением, 1200°C, трубкой 2 дюйма и вакуумным насосом
Эта компактная печь PECVD с авто-скольжением на 1200°C оснащена трубкой 2 дюйма и встроенным вакуумным насосом. Идеально подходит для низкотемпературного осаждения тонких плёнок; использует RF-плазму мощностью 300 Вт для превосходного контроля стехиометрии и быстрого термического процесса в передовых исследованиях промышленных материалов.
Двухзонная трубчатая печь 1200°C со сдвижным механизмом и фланцами для процессов PECVD
Ускорьте исследования материалов с помощью этой двухзонной сдвижной трубчатой печи 1200°C, разработанной для точных процессов плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). Оснащенная мощным ВЧ-плазменным генератором и возможностями быстрого термического отжига, она обеспечивает исключительную равномерность пленок и стабильные результаты для передовых промышленных НИОКР.
5-дюймовая вращающаяся трубчатая печь с системой автоматической подачи и выгрузки, 1200°C, трехзонная обработка порошков методом CVD
Профессиональная 5-дюймовая вращающаяся трубчатая печь с системой автоматической подачи и выгрузки. Трехзонный нагрев до 1200°C с высокой производительностью для синтеза материалов литий-ионных аккумуляторов в контролируемой атмосфере или вакууме. Идеально подходит для масштабируемых промышленных исследований и разработок, а также пилотного производства, оптимизированного для эффективной термической обработки.
Двухзонная ротационная CVD печь с системой автоматической подачи и приемки для обработки порошков
Максимизируйте эффективность исследований материалов с этой двухзонной ротационной CVD печью, оснащенной системами автоматической подачи и приемки. Идеально подходит для производства электродов литий-ионных аккумуляторов и прокаливания неорганических соединений в условиях точно контролируемой атмосферы и температуры для промышленных НИОКР.
Мини-трубчатая печь 1000°C с кварцевой трубкой 20 мм и вакуумными фланцами для материаловедческих исследований и обработки малых образцов в контролируемой атмосфере
Усовершенствуйте свои лабораторные исследования с помощью этой мини-трубчатой печи на 1000°C, оснащенной кварцевой трубкой 20 мм и вакуумными фланцами. Эта универсальная система, оптимизированная для обработки малых образцов и процессов CVD, обеспечивает точное ПИД-регулирование и гибкие конфигурации вертикального или горизонтального монтажа.
Двухтрубная сдвижная печь CVD 100 мм / 80 мм с 4-канальной системой смешивания газов и вакуумной системой
Эта двухтрубная сдвижная печь для химического осаждения из газовой фазы (CVD) оснащена внешней трубкой 100 мм и внутренней трубкой 80 мм для гибких исследований электродов. Интегрированная 4-канальная станция смешивания газов и вакуумная система позволяют проводить быструю термическую обработку и прецизионный синтез графена.
4-дюймовая двухзонная роторная трубчатая печь CVD для высокотемпературного синтеза материалов для аккумуляторов и прокаливания передовых материалов
Эта высокопроизводительная двухзонная роторная трубчатая печь CVD обеспечивает прецизионную термическую обработку при температуре до 1200°C. Идеально подходит для исследований материалов аккумуляторов, оснащена регулируемым вращением, регулируемым наклоном и двухзонным ПИД-регулированием для обеспечения превосходной однородности при прокаливании неорганических соединений и синтезе кремний-углеродных анодов.